Usos de la electrónica de poder de la durabilidad del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de FDV303N TO-236-3
Number modelo:FDV303N
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Electrónica de poderdel MOSFET de FDV 303N
Usos de la electrónica de poder de la durabilidad del alto rendimiento TO-236-3
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1.5V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 2,3 nC @ 4,5 V | |
Vgs (máximo) | ±8V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 50 PF @ 10 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 350mW (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 | |
Paquete/caso |
El FDV303N es un transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N (MOSFET) contuvo en un paquete TO-236-3. Proporciona el excelente rendimiento para los usos que cambian del poder en la mayoría de los convertidores de DC-DC, control de motor y otros circuitos que cambian de alta frecuencia.
El FDV303N tiene una resistencia baja del en-estado (Rdson) de 0.15Ω y una carga baja de la puerta de 3.4nC para la transferencia rápida. También ofrece un alto voltaje de funcionamiento de 30V, un voltaje bajo del umbral de 2.8V, una corriente continua del dren de 10A, y una corriente pulsada del dren de 35A.
El FDV303N es RoHS obediente y se diseña cumplir los requisitos de UL 746C y de EN 60335-1. También tiene una gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a 150°C y es capaz de soportar altas sobretensiones. El FDV303N se diseña para proporcionar rendimiento superior y confiabilidad en los usos más exigentes.
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