Solución de la transferencia del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de NTA7002NT1G SC-75

NTA 7002 NT1 solución de la transferencia del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET deG SC-75

1. El NTA7002NT1G es un MOSFET del P-canal EN del semiconductor. Es un dispositivo de poder contenido en un paquete SC-75 con una disipación de poder máxima de 2W. Este MOSFET tiene una en-resistencia baja de 4.5Ohms y un voltaje de avería de -20V. Es una opción ideal para la diversa transferencia y los usos lineares, así como para la gestión del poder y la protección de la batería.

2. El MOSFET de NTA7002NT1G se construye para los usos de alto rendimiento que requieren en-resistencia baja y un grado de gran intensidad. También tiene un proceso avanzado de la fabricación que asegure la carga baja de la puerta, la capacitancia baja de la entrada y la capacitancia de salida baja. Esto hace conveniente para los usos que cambian de alta velocidad.

3. El MOSFET de NTA7002NT1G ofrece un diseño de alto rendimiento, de baja potencia que sea conveniente para una amplia gama de usos. Este MOSFET puede dirigir hasta 2A de la corriente continua, y su en-resistencia baja asegura un descenso de la baja tensión, apagón de reducción. Este MOSFET es también RoHS obediente y UL certificada, tomándole una decisión confiable para el múltiplo

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