Electrónica de poder del MOSFET de IRFP3206PBF Resistencia baja de gran intensidad de alto voltaje

Resistencia baja de gran intensidad de alto voltaje de la electrónica de poder del MOSFET de IRFP3206PBF

MOSFET de IRFP3206PBF, canal N, 200V, 69A, 55mOhm

Descripción de producto:

El MOSFET de IRFP3206PBF es un MOSFET muy eficiente del canal N diseñado para el uso en usos que cambian del poder más elevado. Este dispositivo ofrece un grado del voltaje de la dren-fuente 200V y una corriente máxima del dren de 69A. También proporciona una en-resistencia baja de 55mOhm. Este MOSFET es conveniente para una variedad de usos que requieran la transferencia del poder más elevado.

Características:

- MOSFET del canal N
- Voltaje de la Dren-fuente: 200V
- Corriente máxima del dren: 69A
- En-resistencia: 55mOhm
- Eficacia alta
- Amplia gama de usos

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