Solución confiable del alto rendimiento de la electrónica del MOSFET del poder de TN2124K1-G

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Electrónica de poder del MOSFET de TN2124K1-G

Descripción:

El TN2124K1-G es un dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET con una en-resistencia baja y una carga baja de la puerta. Es ideal para los usos de la conversión de poder tales como inversores y convertidores de DC/DC. Ofrece un voltaje bajo del umbral, una velocidad rápidamente que cambia, y un funcionamiento termal excelente.

Parámetros:

- Voltaje de la Dren-fuente: 100V
- Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
- En-resistencia estática de la Dren-fuente: 9.5mΩ
- Corriente continua máxima del dren: 15A
- Temperatura de empalme de funcionamiento: -55°C ~ 150°C
- Disipación de poder máxima: 0.95W
- Empaquetado: TO-252-3L

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