El MOSFET del poder más elevado de LND150K1-G avanzó los FETs de los usos de la electrónica de poder

LND 150K1- el MOSFET del poder más elevado de G avanzó los FETs de los usos de la electrónica de poder

MOSFET del poder de LND150K1-G

Descripción de producto:

El MOSFET del poder de LND150K1-G es un dispositivo de alto rendimiento diseñado para proporcionar funcionamiento que cambia superior y resistencia baja del en-estado. Se diseña para cumplir los requisitos de los usos del poder más elevado tales como convertidores de DC-DC, reguladores del motor y sistemas de gestión del poder. El dispositivo ofrece un voltaje del bajo-umbral que permita una eficacia más alta en estos usos. También ofrece una carga baja de la puerta, una capacitancia baja de la puerta-fuente, y un diodo integrado de la rápido-recuperación para la confiabilidad mejorada.

Parámetros del producto:

• Voltaje de la Dren-fuente: 600V
• Voltaje de la Puerta-fuente: ± 20V
• Drene actual: 150A
• Resistencia del En-estado: 0.0025Ω
• Voltaje del umbral: 2.5V
• Disipación de poder: 350W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C

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