Transferencia de alto rendimiento de la energía baja de la electrónica de poder del MOSFET AO3414

MOSFET del modo del aumento del canal N AO3414

Características:

• Diseño de alta densidad de la célula para la En-resistencia baja
• Capacitancia entrada baja y transferencia rápida
• RoHS obediente
• La avalancha 100% probó
• Pb-libre

Grados máximos absolutos:

• Voltaje de la Dren-fuente: 30V
• Voltaje de la Puerta-fuente: 20V
• Drene actual: 5.5A
• Disipación de poder: 3.5W
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
• Temperatura de almacenamiento: -55°C a 150°C
• Temperatura de la ventaja (el soldar, sec 10): 300°C

Características eléctricas:

• Voltaje de avería de la Dren-fuente: 35V
• Voltaje del umbral de la puerta: 2.5V
• En-resistencia (VGS = 10V): 0.025Ω
• En-resistencia (VGS = 4.5V): 0.045Ω
• En-resistencia (VGS = 2.5V): 0,1

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