MOSFET de mejora de canal N AO6601 60V para aplicaciones de electrónica de potencia

Electrónica de potencia MOSFET de canal N AO6601 de 30 V

Características:

- MOSFET de canal N de 30 V para mejorar la eficiencia energética y la conmutación de alta corriente
- Baja resistencia de encendido para baja pérdida de energía
- Carga de compuerta baja para mejorar el rendimiento de conmutación
- Protección ESD interna para mejorar la confiabilidad
- RoHS

Especificaciones:

- Voltaje de fuente de drenaje: 30V
- Voltaje de fuente de puerta (máx.): ± 20 V
- Corriente de drenaje: -20A
- Corriente de drenaje continuo (Tc = 25 ℃): -18A
- Resistencia de encendido de la fuente de drenaje (Vgs = 10 V): 0.0055Ω
- Capacidad de entrada (Vds=25V, f=1MHz): 135pF
- Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C
- Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C

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