SI5855CDC-T1-E3: Electrónica de poder de gran intensidad del MOSFET para el funcionamiento confiable

Anuncio del producto:

Nombre de producto: SI5855CDC-T1-E3
Tipo de producto: MOSFET
Configuración: Solo
Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 55V
Puerta al voltaje de la fuente (Vgss): ±20V
Corriente continua del dren (identificación): 4A
Disipación de poder máxima (paladio): 1.5W
Rds (encendido): 0.05Ω
El hacer juego del Rds (encendido): 2mΩ
Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
Temperatura de empalme máxima (Tj): °C 175

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