Solución de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IPW65R110CFD para el control de la automatización

Solución de alto rendimientode la electrónicade poderdel MOSFET de IPW 65R110CFD para el control de la automatización

MOSFET del poder del canal N de IPW65R110CFD

Descripción de producto:

El MOSFET del poder del canal N de IPW65R110CFD es un dispositivo de alta velocidad, de pequeñas pérdidas diseñado para el uso en los usos de la gestión del poder donde se desea una en-resistencia baja. Este MOSFET ofrece un conductor integrado de la puerta, que proporciona una solución que cambia rápida y robusta. Con sus capacidades de dirección actuales bajas del RDS (encendido) y del alto-lado, el IPW65R110CFD es ideal para una amplia gama de usos.

Características de producto:

• Transferencia de alta velocidad
• En-resistencia baja
• Conductor integrado de la puerta
• Capacidad de dirección actual del Alto-lado
• RoHS obediente

Especificaciones de producto:

• Voltaje de la Dren-fuente (VDS): 30V
• Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente continua del dren (identificación): 110A
• En-resistencia de la Dren-fuente (RDS (encendido)): 0.0065Ω
• Paquete: TO-252 (D-PAK)
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C

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