MOSFET del poder de IRF4104SPBF: En-resistencia baja del alto rendimiento Transferencia de alta velocidad

Anuncio del producto: Características del MOSFET del poder del IRF 4104 SPBF:

• Voltaje máximo de la fuente del dren (Vdss): 100V • Rds (encendido): 0,070 ohmios • Corriente continua del dren: 30A • Corriente pulsada del dren: 60A • Voltaje del umbral de la puerta (Vgs): 2,0 V • Gama de temperaturas de funcionamiento: -55 °C +al°C175 • Montaje del tipo: A través del agujero • Tipo del transistor: Canal N del MOSFET • Disipación de poder: 75W • Voltaje - fuente: - • Carga de la puerta: 75nC • Característica del FET: Estándar • Catálogo dinámico: MOSFET

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