MOSFET de alta potencia IPW60R037CSFD para mayor eficiencia y confiabilidad

IPW60R037CSDFMOSFET de alta potencia para mayor eficiencia y confiabilidad

Listado de productos:

MOSFET IPW60R037CSFD

- Paquete: TO-263

- VDSS: 60V

- RDS (activado): 0,037 ohmios

- DNI: 70A

- Disipación de potencia: 30W

- Corriente de drenaje pulsada: 140A

- Temperatura de funcionamiento: -55 °C a 175 °C

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