IRLML0100TRPBF MOSFET Alto rendimiento Alta eficiencia Bajo RDS(ON) Electrónica de potencia

IRLML0100TRPBF MOSFET Alto rendimiento Alta eficiencia Bajo RDS(ON) Electrónica de potencia

Listado de productos:

MOSFET IRLML0100TRPBF

Descripción del Producto:
Este es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y bajo voltaje.Está diseñado para usarse en aplicaciones tales como amplificadores de audio, convertidores CC-CC, controladores de motores CC, administración de baterías y circuitos de administración de energía.

Características:
- RDS de baja resistencia (encendido): 0.0075Ω @ VGS = 10V
- Corriente máxima de drenaje: 6.5A
- Voltaje máximo de fuente de drenaje: 30V
- Voltaje máximo de umbral de puerta: 4V
- Temperatura máxima de unión operativa: 175°C
- Clasificación MSL: MSL1
- Tipo de paquete: SOT-23

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