Electrónica de potencia MOSFET de alto rendimiento IPW60R070C6 para una eficiencia y confiabilidad óptimas

Electrónica de potencia MOSFET de alto rendimiento IPW60R070C6 para una eficiencia y confiabilidad óptimas

Descripción del Producto:

El IPW60R070C6 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N.Este dispositivo está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación.Es especialmente adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje.

Especificaciones del producto:

• voltaje de fuente de drenaje: 60V
• corriente de drenaje: 70A
• resistencia en estado activado de la fuente de drenaje: 0,065 Ω
• voltaje de fuente de puerta: ±20V
• disipación de potencia: 270W
• rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 150 °C
• rango de temperatura de almacenamiento: -55°C a 150°C

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