Transferencia rápida de la En-resistencia baja de gran intensidad de la electrónica de poder del MOSFET de IRF4905PBF

MOSFET DE IRF4905PBF

Descripción de producto:

El IRF4905PBF es un MOSFET de alto rendimiento del poder, ofreciendo en-resistencia baja y épocas que cambian rápidas. Este MOSFET es conveniente para el uso en usos de la gestión del poder, amplificadores audios, impulsiones del motor, fuentes de alimentación que cambian, y otros usos de gran intensidad.

Características:

• En-resistencia baja
• Capacidad de gran intensidad
• Facilidad de ser paralelo a
• Épocas que cambian rápidas
• Carga baja de la puerta
• RoHS obediente
• Halógeno libre

Especificaciones:
• Voltaje de la Dren-fuente: 100V
• Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
• Corriente continua del dren: 30A
• Corriente del dren del pulso: 120A
• RDS (encendido): 0.076Ω
• Disipación de poder: 1.2W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C

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