Solución de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRF6217TRPBF para los usos de gran intensidad

Solución de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET del IRF 6217 TRPBF para los usos de gran intensidad

Parámetros:

• Paquete: TO-220
• Tipo del transistor: Canal N
• Vds – voltaje de avería de la Dren-fuente: 100V
• Identificación – corriente continua del dren: 25A
• Rds en – resistencia de la Dren-fuente: 0,02 ohmios
• Vgs – voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
• Disipación de poder: 80W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
• Polaridad: Canal N
• Montaje del tipo: A través del agujero

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