IRF6638TRPBF MOSFET Power Electronic Transistor de conmutación de baja resistencia de alta intensidad

IRF6638TRPBF MOSFET Power Electronic Transistor de conmutación de baja resistencia de alta intensidad

Características:

• MOSFET de canal N
• Controlador de puerta de nivel lógico
• Temperatura de funcionamiento de 175 °C
• Voltaje de fuente de puerta de +-20 V
• Tensión disruptiva entre drenaje y fuente de 30 V
• Corriente de drenaje continua de 17 A a 25 °C
• Voltaje de umbral de 4,5 V
• Resistencia en estado activo de 4,7 mΩ
• Libre de halógeno
• RoHS

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