MOSFET del canal N del poder más elevado del MOSFET de IRF6218STRLPBF con punto bajo en resistencia

Number modelo:IRF6218STRLPBF
Lugar del origen:Multi-origen
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Capacidad de la fuente:99999
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Shenzhen China
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MOSFET DE IRF6218STRLPBF

 

Parámetros:

 

Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 200V
Drene la corriente (identificación): 20A
Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): 10V
P-canal
En-resistencia de la Dren-fuente (Rds): 0.027Ω
Disipación de poder máxima (paladio): 350W
Tiempo de la subida/caída (tr/tf): 10ns/20ns
Tipo del paquete: TO-220

 

 

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