Transferencia del poder más elevado de la electrónica de poder del MOSFET de IRF730PBF en las pérdidas bajas

Transferencia del poder más elevado de la electrónica de poder del MOSFET de IRF730PBF en las pérdidas bajas

Descripción:

El IRF730PBF es un MOSFET rápido del poder del canal N que cambia diseñado para los usos que cambian de alta velocidad. Ofrece la carga baja de la puerta, la en-resistencia baja, y la capacidad de dirección de gran intensidad.

Parámetros:

- Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 500V
- Continuo drene la corriente (identificación): 10A
- Rds (encendido): 0,03 Ω
- Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20V
- Disipación de poder (paladio): 30W
- Impedancia termal transitoria máxima (j-c de Zth): 2,1 °C/W
- Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento: -55°C a 175°C
- Paquete: TO-220AB

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