Punto bajo del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRL2203NPBF en resistencia

Number modelo:IRL2203NPBF
Lugar del origen:Mulit-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 38 Horas
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Detalles del producto

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Nombre de producto: MOSFET del canal N BSP372NH6327

 

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MOSFET DE IRL2203NPBF

 

Parámetros del producto:


- Tipo: MOSFET del canal N
- Voltaje de la Dren-fuente: 100V
- Corriente continua del dren: 22A
- RDS (encendido): 0,01 ohmios
- Disipación de poder: 55W
- Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C
- Montaje del tipo: A través del agujero

 

 

 

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Punto bajo del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRL2203NPBF en resistencia

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