Electrónica de poder de alto rendimiento del MOSFET de la electrónica de poder del MOSFET de IRLR3410TRLP para el rendimiento superior

Anuncio del producto:

MOSFET DE IRLR3410TRLPBF

Características:

• En-resistencia baja de la dren-fuente
• Carga ultrabaja de la puerta
• voltaje de la dren-fuente 100V
• voltaje de la puerta-fuente 10V
• Capacitancia de salida baja de la puerta
• RoHS obediente
• paquete Pb-libre

Especificaciones:

• Voltaje de la Dren-fuente: 100V
• Voltaje de la Puerta-fuente: 10V
• Drene actual (continuo): 34A
• Drene actual (pulsado): 68A
• En-resistencia de la Dren-fuente: 4.8mΩ
• Salida de la Puerta-fuente: 10nA
• Salida del Puerta-dren: 10nA
• Transconductancia delantera: 12.7S
• Capacitancia entrada: 47pF
• Capacitancia de salida: 11pF
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
• Paquete: TO-252

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