Transferencia baja de la eficacia alta de Vce del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SIR466DP-T1-GE3 (se sentó)

Transferencia baja de la eficacia alta de Vce del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SIR466DP-T1-GE3 (se sentó)

Descripción: El MOSFET SIR466DP-T1-GE3 es un MOSFET de alto voltaje del canal N diseñado para proporcionar eficacia máxima en una amplia gama de usos. Ofrece una en-resistencia baja de 4,0 ohmios, la carga baja de la puerta de 8,7 nC, y una capacidad de dirección de gran intensidad de 30A. El paquete ancho del cuerpo proporciona funcionamiento y confiabilidad termales mejorados.

Características:
- En-resistencia baja: 4,0 ohmios
- Carga baja de la puerta: 8,7 nC
- Dirección de gran intensidad: 30A
- Paquete ancho del cuerpo para el funcionamiento y la confiabilidad termales mejorados

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