Transistor de baja tensión de alta potencia de la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET IPD60R180P7SAUMA1

Este transistor del MOSFET IPD60R180P7SAUMA1 de Infineon es un MOSFET del poder del canal N

diseñado para el uso en la rectificación síncrona de gran eficacia y los usos que cambian de alto voltaje. Este MOSFET tiene un RDS (encendido) de 0.0015Ω, de una identificación de 60A y de un grado de la energía de la avalancha de 8mJ.

Características dominantes:

• MOSFET del poder del canal N
• RDS (encendido) de 0.0015Ω
• Identificación de 60A
• Grado de la energía de la avalancha de 8mJ
• RoHS obediente
• Pb-libre

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