Transferencia rápida de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML6302TRPBF con la En-resistencia baja para la eficacia máxima

Transferencia rápida de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML6302TRPBF con la En-resistencia baja para la eficacia máxima

Características de producto:

• En-resistencia baja: 2.6mΩ (VGS = 10 V)
• Transferencia de alta velocidad: tonelada = 7.0ns (VGS = 10 V)
• Capacitancia entrada baja: CISS = 21pF (VGS = 10 V)
• Alta energía de la avalancha: EAS = 5.8mJ (VGS = 10 V)
• Sin plomo/RoHS obediente
• Halógeno libre/verde
• El 100% UIL probado
• Paquete: SOT-23
• Voltaje máximo de la fuente del dren (VDSS): 100V
• Voltaje de fuente de puerta máximo (VGSS): ±20V
• Corriente continua máxima del dren (identificación): 0.6A
• Disipación de poder máxima (paladio): 590mW

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>

• SKL es encargado común y una compañía comercial de componentes electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta para nuestro miembro global.
• Las mercancías se aseguran el posible más de alta calidad y se entregan a nuestros clientes por todo el mundo con velocidad y la precisión.

Cómo comprar >>>

• Éntrenos en contacto con por el correo electrónico y envió su investigan con su destino del transporte.
• La charla en línea, la comisión sería respondida CUANTO ANTES.

>>> del servicio

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• Estamos confiados al servicio rápido, conveniente y seguro del abastecimiento del transporte al comprador global.