Transistor de la fuente de alimentación MOSFET de IRLML6402TRPBF En-resistencia baja del alto rendimiento

Number modelo:IRLML6402TRPBF
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Shenzhen China
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Detalles del producto

En-resistencia baja del alto rendimiento del transistor de la fuente de alimentación MOSFET de IRLML6402TRPBF

 

Parámetros:

 

 

VDS: -20V

RDS (encendido): 0.0045Ω

Identificación: 3.2A

Paquete: SOT-23

 

Polaridad: P-canal

Montaje del tipo: Soporte superficial

Configuración: Solo

Voltaje del umbral: 2.2V

Temperatura de funcionamiento máximo: +150°C

Temperatura de funcionamiento mínima: -55°C

 

 

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Transistor de la fuente de alimentación MOSFET de IRLML6402TRPBF En-resistencia baja del alto rendimiento

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