FET de la puerta del nivel de la lógica del canal N de la baja tensión del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML5103TRPBF solo

FET de la puerta del nivel de la lógica del canal N de la baja tensión del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML5103TRPBF solo

Soporte superficial 25W (Tc) del canal N 20V 4.2A (Tc) del MOSFET de IRLML5103TRPBF PowerPAK 1212-8

Descripción de producto:

Este MOSFET de IRLML5103TRPBF es un transistor del efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N en un paquete de PowerPAK 1212-8. Tiene un grado del voltaje de la dren-fuente de 20V, un grado del voltaje de la puerta-fuente de ±20V, y un grado actual del dren de 4.2A (Tc). También ofrece una disipación de poder máxima de 25W (Tc). Este MOSFET se diseña para el uso en convertidores de DC-DC, lógica digital, control de motor, y otros usos de fines generales. Ofrece funcionamiento termal superior y es conveniente para los usos que cambian de alta frecuencia.

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