Electrónica de poder de alto rendimiento del MOSFET de la electrónica de poder del MOSFET de IRLR3114ZTRPBF para la transferencia y la eficacia confiables

Anuncio del producto:

MOSFET DE IRLR3114ZTRPBF

Parámetros:

• Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 30V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20V
• Drene la corriente (identificación): 5.4A (Tc=25°C)
• Corriente continua del dren (identificación): 4.4A (Tc=100°C)
• RDS (encendido): 0.076Ω (Vgs=10V)
• Disipación de poder máxima (paladio): 11W (Tc=25°C)
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +175°C
• Montaje del tipo: A través del agujero

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