Solución de alto rendimiento de la transferencia del poder de la electrónica de poder del MOSFET de IRF2807PBF

Number modelo:IRF2807PBF
Lugar del origen:Mulit-origen
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 38 Horas
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Anuncio del producto:

 

MOSFET del poder del canal N de IRF2807PBF

 

Características:

 

• voltaje de la dren-fuente 100V
• -55°C a la gama de temperaturas de funcionamiento de +150°C
• corriente continua del dren 20A
• Velocidad que cambia rápida
• Carga baja de la puerta
• Resistencia baja del en-estado
• Alta capacidad actual máxima
• RoHS obediente
• AEC-Q101 calificó
• Halógeno-libre

 

Usos:

 

• Gestión del poder
• Convertidores de DC/DC
• Control de motor
• Iluminación de control
• Amplificadores audios

 

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>

• SKL es encargado común y una compañía comercial de componentes electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta para nuestro miembro global.
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• Intentaremos responder lo más rápidamente posible. Pero debido a la diferencia de la zona horaria, dé un plazo por favor de hasta 24 horas para conseguir su correo contestado. Los productos fueron probados por algunos dispositivos o software, nos aseguramos de que no haya problemas de la calidad.
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Solución de alto rendimiento de la transferencia del poder de la electrónica de poder del MOSFET de IRF2807PBF

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