SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET Power Electronics Solución rentable y de alto rendimiento

SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET Power Electronics Solución rentable y de alto rendimiento

Descripción del Producto:

El Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3 es un MOSFET de canal N que proporciona un manejo de potencia superior en una variedad de aplicaciones.Este MOSFET está diseñado para ofrecer un excelente rendimiento de conmutación, baja corriente de fuga, baja carga de compuerta y baja resistencia de encendido.El SI2304DDS-T1-GE3 es adecuado para usar en conmutación de alta potencia, administración de energía y otras aplicaciones de energía.

Características:
• Accionamiento de compuerta de 4,8 V
• Baja resistencia
• Carga de puerta baja
• Baja corriente de fuga
• RoHS
• Sin plomo

Especificaciones:
• Voltaje de fuente de drenaje (VDS): 30V
• Resistencia en estado de drenaje-fuente (RDS(on)): 0,0095 ohmios
• Corriente de drenaje continua (ID): 12A
• Corriente de drenaje pulsada (IDM): 25A
• Voltaje de fuente de puerta (VGS): -5V a +4.8V
• Disipación de Potencia (Pd): 3W

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