Punto bajo de la baja tensión del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRL8113PBF en el interruptor de la resistencia

Poder del MOSFET de IRL 8113 PBF

Punto bajo de la baja tensión del alto rendimiento de la electrónica en el interruptor de la resistencia

IRL8113PBF es un MOSFET diseñado para los usos que cambian del poder eficiente y confiable. Se optimiza para la en-resistencia baja y la carga baja de la puerta, haciéndola conveniente para una amplia gama de usos.

Parámetros:

• Voltaje de la Dren-fuente: 100V

• Corriente continua del dren: 10A

• En-resistencia de la Dren-fuente: 0.090Ω

• Carga de la puerta: 12nC

• Capacitancia entrada: 700pF

• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C

• Montaje del tipo: A través del agujero

• Paquete/caso: TO-264-3

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