Solución de la transferencia de la baja tensión del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SI4401DDY-T1-GE3

SI4401 DDY-T 1- poderdel MOSFET de GE3

Solución de la transferencia de la baja tensión del alto rendimiento de la electrónica

Este MOSFET es un transistor de alto rendimiento, de baja tensión, de baja potencia diseñado para el uso en una amplia gama de usos. Tiene una carga baja de la puerta y una capacitancia baja del puerta-a-dren y es conveniente para los usos que cambian de alta frecuencia. Ofrece una en-resistencia baja y un voltaje bajo del umbral. Este MOSFET también ofrece una operación de poco ruido, que es beneficiosa para los usos ruido-sensibles. Es también RoHS obediente y disponible en un paquete del estándar industrial.

• Voltaje de la Dren-fuente: 100V
• Drene actual: 44A
• RDS (encendido): 0,02 Ω
• Voltaje del umbral de la puerta: 1.2V
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 150°C
• Disipación de poder: 4.8W
• Montaje del tipo: Soporte superficial
• Paquete/caso: TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas)

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