Transistor de poder del MOSFET de IRFP4868PBF - buen funcionamiento del poder más elevado

Descripción de producto:

Esto es un MOSFET del canal N manufacturado por el rectificador internacional. Es un MOSFET del poder con un voltaje máximo de la fuente del dren de 100V y una corriente máxima del dren de 69A. Tiene una fuente del dren EN la resistencia de 0.0076ohms y una corriente pulsada máxima del dren de 230A. Puede actuar en una gama de temperaturas desde -55°C a 175°C.

Especificaciones de producto:

- Drene el voltaje de la fuente: 100V
- Drene actual: 69A
- Drene la fuente EN resistencia: 0.0076ohms
- Máximos pulsados drenan actual: 230A
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C

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