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Poder más elevado de la electrónica de poder del MOSFET de IRFP7530PBF que maneja la transferencia rápida
Descripción: El IRFP7530PBF es un MOSFET del modo del aumento del canal N del rectificador internacional. Este MOSFET tiene un voltaje máximo de la fuente del dren de 500V y un voltaje típico del umbral de la puerta de 4V. Tiene una corriente máxima del dren de 61A y una resistencia máxima de la fuente del dren de 0,0084 ohmios. Ofrece una disipación de poder máxima de 225W y una temperatura de empalme máxima de 175°C.
Parámetros:
- Voltaje de la Dren-fuente: 500V
- Voltaje del umbral de la puerta: 4V
- Drene actual: 61A
- Drene la resistencia de la fuente: 0,0084 ohmios
- Disipación de poder: 225W
- Temperatura de empalme: 175°C
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