Electrónica de poder del MOSFET de IRFP7530PBF Poder más elevado que maneja la transferencia rápida

Poder más elevado de la electrónica de poder del MOSFET de IRFP7530PBF que maneja la transferencia rápida

Descripción: El IRFP7530PBF es un MOSFET del modo del aumento del canal N del rectificador internacional. Este MOSFET tiene un voltaje máximo de la fuente del dren de 500V y un voltaje típico del umbral de la puerta de 4V. Tiene una corriente máxima del dren de 61A y una resistencia máxima de la fuente del dren de 0,0084 ohmios. Ofrece una disipación de poder máxima de 225W y una temperatura de empalme máxima de 175°C.

Parámetros:
- Voltaje de la Dren-fuente: 500V
- Voltaje del umbral de la puerta: 4V
- Drene actual: 61A
- Drene la resistencia de la fuente: 0,0084 ohmios
- Disipación de poder: 225W
- Temperatura de empalme: 175°C

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