En-resistencia baja del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRFD110PBF y transferencia rápida

En-resistencia baja del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRFD110PBF y transferencia rápida

Parámetros del productodel MOSFET de IRFD 110PBF: Tipo: MOSFET Vdss del canal N (máximo): Identificaciónde 100V (máxima): 11un Rds (encendido) (máximo): 0,14 @Vgs de Ω = 10V Vgs (th) (máximo): 2,3 @Id de V de = paquete 250μA: TO-220FP ofrece: Carga baja de la puerta, en-resistencia baja, y transferencia rápida

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