Electrónica de poder del MOSFET de IRF3205PBF - de alta frecuencia, dispositivo bajo de la transferencia del poder del RDS (encendido).

Anuncio del producto:

MOSFET del canal N del IRF 3205 PBF

Características de producto:

• Voltaje máximo de la fuente del dren (Vdss): 55V

• Voltaje de fuente de puerta máximo (Vgs): 20V

• Corriente continua del dren (identificación): 25A

• En-resistencia (Rds): 0,073 ohmios

• Temperatura de funcionamiento: -55 °C al°C 175

• Paquete/caso: TO-220AB-3

• Polaridad del transistor: Canal N

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