Electrónica de poder del MOSFET de IRFB3006GPBF 60V 30A 170W para los usos de gran intensidad

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Poder del MOSFET de IRFB 3006 GPBF

Electrónica 60V 30A 170W para los usos de gran intensidad

 

 

 

Parámetros:

- Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 60V - voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20V - corriente continua del dren (identificación): 30 - una corriente pulsada del dren (Idm): 60A - Rds (encendido): 0,019 Ω - capacitancia de la entrada (CISS): 4200 PF - disipación de poder (paladio): 7,2 W - funcionamiento y temperatura de almacenamiento: -55 +150al℃ - paquete: TO-220AB

 

 

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Electrónica de poder del MOSFET de IRFB3006GPBF 60V 30A 170W para los usos de gran intensidad

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