MOSFET de canal N de alto rendimiento IRFP2907PBF para aplicaciones de electrónica de potencia

MOSFET de canal N de alto rendimiento IRFP2907PBF para aplicaciones de electrónica de potencia

MOSFET IRFP2907PBF

Este MOSFET es un MOSFET de canal N de bajo voltaje y alta potencia con un voltaje de fuente de drenaje de 100 V y una corriente de drenaje de 19 A.Tiene una velocidad de conmutación rápida y un voltaje de umbral de fuente de puerta bajo.También tiene buena estabilidad térmica, excelente rendimiento de frecuencia y un paquete robusto.Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta potencia, como conmutación de potencia, amplificadores de audio y control de motores.

Parámetros:
- Voltaje de fuente de drenaje: 100V
- Corriente de drenaje: 19A
- Velocidad de conmutación: rápida
- Voltaje de umbral de fuente de puerta: bajo
- Estabilidad Térmica: Buena
- Rendimiento de frecuencia: excelente
- Paquete: Robusto

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