Transferencia confiable del poder del alto rendimiento del transistor de poder del MOSFET de IRFB4620PBF

Transistor de poder del MOSFET de IRFB 4620 PBF

Transferencia confiable del poder del alto rendimiento

Características:

• voltaje de la Dren-fuente 200V (VDS)

• corriente continua del dren 8.9A (identificación) en 25°C

• corriente continua del dren 12.3A (identificación) en 100°C

• corriente pulsada máxima del dren 74A (IDM)

• resistencia máxima del En-estado de la Dren-fuente 2.1Ω (RDS (encendido)) en 10V

• corriente máxima de la avalancha 175A (IAR)

• energía máxima de la avalancha 175A (EAS)

• -55°C a la temperatura de empalme de funcionamiento 175°C (Tj)

• Carga baja de la puerta para la transferencia rápida

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