Punto bajo de alto voltaje de la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET de IRF3703PBF en resistencia

Electrónica de poder del MOSFET del IRF 3703 PBF

Punto bajo de alto voltaje de la eficacia alta en resistencia

El IRF3703PBF es un alto rendimiento, en-resistencia baja, MOSFET del canal N del rectificador internacional. Utiliza la última raya planar avanzada y la tecnología de DMOS para proporcionar el RDS mejorado (encendido). Este dispositivo es conveniente para el uso en usos que cambian, particularmente para la transferencia lateral baja, donde se requieren la transferencia rápida y la impulsión baja de la puerta.

Características:

• En-resistencia baja: RDS (encendido) = 0.08Ω

• Raya planar avanzada y tecnología de DMOS

• Impulsión baja de la puerta: VGS (th) = 3V

• Transferencia de alta frecuencia

• Conveniente para los usos que cambian laterales bajos

• Pb-libre, paquete obediente de RoHS

• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C

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