Transferencia de la baja tensión del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SQD50P06-15L-GE3

Electrónica de poder del MOSFET

Transferencia de la baja tensión del alto rendimiento SQD50P06-15L-GE3

El SQD 50P06- 15el MOSFET deL-GE 3 es un alto rendimiento, en-resistencia baja, carga baja de la puerta, MOSFET de la baja tensión. Es conveniente para los usos de alta frecuencia, tales como teléfonos móviles, ordenadores portátiles, y electrónica de automóvil. Este dispositivo ofrece una en-resistencia baja de 0,06 ohmios, de un voltaje de avería de 15V, y de una carga de la puerta de 15nC. También ofrece funcionamiento termal excelente y resistencia baja de la puerta. Este dispositivo es RoHS obediente y sin plomo.

Tipo del paquete: TO-220

Voltaje: 50V

Actual: 15A

Polaridad: Canal N

Disipación de poder: 78W

Tipo del FET: Modo del aumento

Montaje del tipo: A través del agujero

Tiempo de subida: 21ns

Tiempo de caída: 17ns

Fabricante: SQD

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