Eficacia alta y confiabilidad de alta calidad de la electrónica de poder del MOSFET SI7658ADP-T1-GE3

MOSFET SI7658ADP-T1-GE3

Eficacia alta y confiabilidad de alta calidad de la electrónica de poder

Descripción de producto:

El SI7658ADP-T1-GE3 es un MOSFET del canal N con un diodo integrado de la protección de la puerta. Este dispositivo se diseña para el uso en altos usos que cambian laterales. Se fabrica usando tecnología de proceso de alto voltaje avanzada del MOSFET.

Características principales:

- VDS (v): 70
- RDS (encendido) (mΩ): 5,5
- Identificación (a): 8
- Paquete: SO-8
- Diodo integrado de la protección de la puerta

Usos:
- Alta transferencia lateral
- Usos automotrices
- Gestión de la batería
- Control industrial

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