Transferencia de gran intensidad de pequeñas pérdidas del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRGB4062DPBF.

MOSFET DE IRGB4062DPBF

Transferencia de gran intensidad de pequeñas pérdidas del alto rendimiento de la electrónica de poder.

Descripción:

El IRGB4062DPBF es un MOSFET del canal N, contenido en un paquete TO-252. Se diseña para el uso en una variedad de usos, incluyendo la gestión del poder, la conversión de poder, y la transferencia del poder.

Características:

- Canal N, MOSFET de baja tensión, de alto rendimiento
- Voltaje máximo de la Dren-fuente: 60V
- Resistencia del En-estado de la Dren-fuente: 0,43 ohmios
- Voltaje máximo de la Puerta-fuente: 20V
- Disipación de poder máxima: 3.2W
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
- Tipo del paquete: TO-252

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