Solución de baja potencia de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRF7317TRPBF para la eficacia óptima

Solución de baja potencia de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRF7317TRPBF para la eficacia óptima

IRF7317TRPBF - MOSFET del canal N

Tipo de producto: MOSFET del canal N

Tipo del paquete: TO-220

Vds máximo: 60V

Identificación máxima: 32A

Rds encendido: 10mΩ

Vgs máximo: +/-20V

Paladio máximo: 125W

Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C

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