MOSFET del poder del canal N de la electrónica de poder del MOSFET de IRF7205TRPBF

Descripción de producto:

1. voltaje de la Dren-fuente: 600 V

2. corriente del dren: 4,2 A

3. voltaje de la Puerta-fuente: ±20 V

4. disipación de poder máximo: 151 W

5. modo del canal: Canal N

6. corriente continua del dren: 4,2 A

7. gama de temperaturas de funcionamiento: -55 °C +al°C175

8. resistencia termal máxima: 2,9 °C/W

9. montaje del tipo: Soporte superficial

10. resistencia máxima del En-estado de la fuente del dren: 0,0045 ohmios

11 paquete/caso: TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

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