Transistor de la electrónica de poder del MOSFET de IRFR1018ETRPBF para los usos que cambian de gran eficacia

Aquí está una lista de descripciones de producto para el transistor del MOSFET del poder de IRFR1018ETRPBF:

1. Transferencia de gran eficacia: Este transistor del MOSFET se diseña para el uso en los usos que cambian de gran eficacia, haciéndolo ideal para el uso en fuentes de alimentación y otros dispositivos electrónicos.
2. RDS bajo (encendido): Con una en-resistencia baja (RDS (encendido)) apenas de 10mOhms, este transistor ofrece pérdidas bajas de la conducción y eficacia alta.
3. Diseño robusto: El IRFR1018ETRPBF ofrece un diseño rugoso, confiable que sea capaz de soportar niveles de la tensión eléctrica y termal.
4. Velocidad que cambia rápida: La velocidad que cambia rápida de este transistor se asegura de que puede responder rápidamente a los cambios en las señales de entrada, haciéndola ideal para el uso en los usos que requieren la transferencia rápida.
5. Paquete superficial del soporte: Este transistor se contiene en un paquete superficial del soporte, haciéndolo fácil integrar en una variedad de diseños electrónicos.
6. Carga baja de la puerta: Con una carga baja de la puerta apenas de 27nC, este transistor se puede conducir fácilmente por una gama de circuitos de impulsión de la puerta.
7. Gama da alta temperatura: El IRFR1018ETRPBF puede actuar en las temperaturas hasta 175°C, haciéndola conveniente para el uso en ambientes des alta temperatura.
8. Sin plomo y RoHS obedientes: Este transistor es sin plomo y RoHS obediente, haciéndolo respetuoso del medio ambiente y seguro utilizar en una variedad de usos.

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