SIHW30N60E-GE3 MOSFET del canal N del alto rendimiento 30A 600V para la electrónica de poder

Alto SIHW30N60E-GE3

MOSFET del canal N del funcionamiento 30A 600V para la electrónica de poder

Características de producto:

- Alta transferencia de la velocidad
- Carga baja de la puerta
- En-resistencia baja
- MOSFET del poder de TrenchFET
- Producto excelente de la carga x RDS de la puerta (encendido)

Especificaciones técnicas:

- Voltaje de la Dren-fuente: 600V
- Continuo drene la corriente: 30A
- Pulsado drene actual: 175A
- Resistencia del En-estado: 0,0665 Ω
- Voltaje máximo del umbral de la puerta: 4V
- Voltaje máximo de la Puerta-fuente: 20V
- Resistencia máxima del En-estado de la fuente del dren: 0,0665 Ω
- Tipo del paquete: TO-220-3
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C

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