Módulo rápido de alto voltaje de la transferencia IGBT de la electrónica de poder del MOSFET SIHF12N50CE3

Nombre de producto: SIHF12N50CE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: Canal N 500V (D-S) 175·MOSFET DE C
Tipo del paquete: TO-263-3 (D2PAK)
RoHS obediente: Sí
Voltaje máximo de la Dren-fuente (VDS): corriente continua del dren 500VMaximum (identificación): 12A
Disipación de poder máxima: 90W
Voltaje de la Puerta-fuente (VGS) 30V
Voltaje del umbral (VGSth) 2.5V (tipo.)
Resistencia del En-estado de la Dren-fuente (RDS (encendido)): (tipo.) gama de temperaturas de funcionamiento 0.39Q: -55°C a +175°C
Características:
Carga rápida de la puerta del switchingLow
Resistencia baja de la puerta
La energía de la avalancha valoró
capacidad lmproved de dv/dt
la avalancha 100% probó
RoHS obediente
Usos:
Fuentes de alimentación que cambian
Corrección de factor de poder
Convertidores de DC-DC
Impulsiones del motor
Iluminación de los lastres

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