Solución de la electrónica de poder de la eficacia alta del poder más elevado del MOSFET de IRF5803TRPBF

MOSFET DE IRF5803TRPBF

Solución de la electrónica de poder de la eficacia alta del poder más elevado

Parámetros:

• Paquete: TO-220
• Tecnología: Canal N
• Polaridad: Tipo del aumento
• Voltaje de la Dren-fuente (Vds): 100 V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): 10 V
• Corriente continua del dren (identificación): 8 A
• Resistencia del En-estado de la Dren-fuente (Rds): 0,06 ohmios
• Temperatura de empalme máxima (Tj): 150°C
• Disipación de poder (paladio): 14 W
• Montaje del tipo: A través del agujero
• Número de elementos: 1
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
• Tiempo de caída (tf): 0,1 nosotros
• Tiempo de subida (tr): 0,1 nosotros
• Capacitancia de la Dren-fuente (Cd):-
• Marca: IRF

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