Solución confiable y eficiente del alto rendimiento del transistor electrónico del poder del MOSFET de IRLR2908TRPBF del poder

Poder del MOSFET de IRLR2908TRPBF

Solución confiable y eficiente del alto rendimiento del transistor electrónico del poder

Anuncio del producto:

MOSFET del poder de IRLR2908TRPBF

Características:
- MOSFET del canal N
- Carga baja de la puerta
- Transferencia rápida
- voltaje de avería de la Dren-fuente 100V
- RDS (encendido) = 0,065 ohmios
- temperatura de funcionamiento 175C
- corriente continua del dren 8.5A
- Voltaje bajo del umbral
- Sin plomo/RoHS obediente
- Disponible libre del halógeno a petición
- Paquete de TO-252/DPAK

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>

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