Electrónica de poder del alto rendimiento del MOSFET de IRF1404PBF para la transferencia eficiente

MOSFET DE IRF1404PBF

Electrónica de poder del alto rendimiento para la transferencia eficiente

Características:

• En-resistencia baja
• Voltaje bajo del umbral de la puerta
• Capacitancia entrada baja
• Salida baja de la entrada-salida
• Transferencia de alta velocidad
• Resistencia termal baja

Especificaciones:

• Drene el voltaje de la fuente (VDS): 100V
• Corriente continua del dren (identificación): 56A
• RDS (encendido): 0,03 ohmios
• Transconductancia (gm): 4,0 S
• Capacitancia entrada (CISS): 3200 PF
• Voltaje del umbral de la puerta (VGS): 4.0V
• Disipación de poder (paladio): 360W
• Temperatura de funcionamiento (Tj): -55°C a 175°C
• Montaje del tipo: A través del agujero
• Paquete/caso: TO-220AB
• Paquete del dispositivo del proveedor: TO-220AB
• Número de pernos: 3

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