Ayuda común IC BOM del chip de memoria IS62WV51216BLL-55TLI de Vishay IC Ic

Number modelo:SI2301CDS-T1-GE3
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000PCS POR SEMANA
Detalles de empaquetado:STANDRAD
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: Sitio 2808-2809, Duhuixuan, no. 3018, avenida de Shennan, comunidad de Huahang, calle del norte de Huaqiang, distrito de Futian, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 37 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

IC común (ayuda IC BOM) IS62WV51216BLL-55TLI del chip de memoria de los componentes electrónicos

MT41K256M16TW-107 LAS TIC: P
Número de parte de Digi-Key
SI2301CDS-T1-GE3TR-ND - Cinta y carrete (TR)
SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - Corte la cinta (los CT)
SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Fabricante Product Number
SI2301CDS-T1-GE3
Descripción
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Descripción detallada
P-canal 20 V 3.1A (Tc) 860mW (TA), 1.6W (Tc) soporte SOT-23-3 (TO-236) de la superficie
Fabricante:
Vishay
Categoría de producto:
MOSFET
RoHS:
Detalles
Tecnología:
Si
Montaje de estilo:
SMD/SMT
Paquete/caso:
SOT-23-3
Polaridad del transistor:
P-canal
Número de canales:
1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
20 V
Identificación - corriente continua del dren:
3,1 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
112 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
- 8 V, + 8 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
1 V
Qg - carga de la puerta:
3,3 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
1,6 W
Modo del canal:
Aumento
Marca registrada:
TrenchFET
Serie:
SI2
Empaquetado:
Carrete
Empaquetado:
Corte la cinta
Empaquetado:
MouseReel
Marca:
Semiconductores de Vishay
Configuración:
Solo
Tiempo de caída:
10 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Tiempo de subida:
35 ns
Cantidad del paquete de la fábrica:
3000
Subcategoría:
MOSFETs
Tipo del transistor:
1 P-canal
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:
30 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:
11 ns
Parte # alias:
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
Peso de unidad:
0,000282 onzas



FAQ

Q1: ¿Sobre la cita de IC BOM?
A1: La compañía tiene los canales de adquisición de fabricantes originales del circuito integrado en el país y en el extranjero y de un equipo profesional del análisis de la solución del producto para seleccionar los componentes electrónicos de alta calidad, baratos para los clientes.
Q2: ¿Cita para las soluciones del PWB y de PCBA?
A2: El equipo profesional de la compañía analizará la gama del uso de las soluciones del PWB y de PCBA proporcionadas por el cliente y los requisitos del parámetro de cada componente electrónico, y provee en última instancia de clientes las soluciones de alta calidad y baratas de la cita.
Q3: ¿Sobre diseño de chips al producto final?
A3: Tenemos un conjunto completo de diseño de la oblea, de producción de la oblea, de prueba de la oblea, de empaquetado y de integración de IC, y los servicios de la inspección del producto de IC.
Q4: ¿Hace nuestra compañía tienen un requisito de la cantidad de orden mínima (MOQ)?
A4: No, no tenemos requisito de MOQ, nosotros podemos apoyar sus proyectos a partir de prototipos a las producciones en masa.
Q5: ¿Cómo asegurarse de que información al cliente no se escapa?
A5: Estamos dispuestos a firmar efecto de NDA por ley local del lado del cliente y el promesa de mantener datos de los clientes alto nivel confidencial.
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